产品特点
应用领域：适用于大学、研究院所、企业研发礼构通用的等离子体刻蚀的科研与教学或者小批量量产。
等离子刻蚀方式：RIE反应离子刻蚀或者ICP模式离子刻蚀（根据用户需求定制）
样片数量及尺寸：1片φ6英寸、8英寸
刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、Si02，Si3N4，Ti，W、聚合物等
刻蚀腔体：高真空系统
刻蚀不均匀性：±3%-+6%
刻蚀速率：0.1-4um/min（视具体材料与工艺）
工作台：可升降，包含水冷
电源配置：上电极射频，下电极偏压，包含自动匹配
气路数量与种类：6路耐氟基腐蚀气路或用户选配
操作模式：PLC+电脑显示屏，全自动+半自动控制
